Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами

Зезюля, П. А.; Малевич, В. Л.; Кроткус, А.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271760

Title:	Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами
Other Titles:	Generation of terahertz radiation in semiconductor heterostructures by subpicosecond laser pulses / P.A. Ziaziulia, V.L. Malevich, A. Krotkus
Authors:	Зезюля, П. А. Малевич, В. Л. Кроткус, А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 255-258.
Abstract:	Проведено исследование генерации терагерцовых импульсов при лазерном субпикосекундном возбуждении гетероструктуры GaInAsBi/InP. Показано, что при возбуждении структуры со стороны подложки терагерцовые импульсы меняют полярность, когда энергия фотоэлектронов становится достаточной для их проникновения в широкозонный полупроводник. Данное явление может быть использовано в качестве бесконтактного метода определения потенциального барьера зон проводимости гетероперехода
Abstract (in another language):	The study of terahertz pulse generation at laser subpicosecond excitation of GaInAsBi/InP heterostructures was carried out. It is shown that terahertz pulses change polarity when the energy of photoelectrons becomes sufficient for their penetration into the wide-gap semiconductor when the structure is excited from the substrate. This phenomenon can be used as a method of non-contact determination of the potential barrier of the conduction bands of heterojunctions
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271760
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit:	№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
Appears in Collections:	2021. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
255-258.pdf		1,01 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar