Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271760Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Зезюля, П. А. | |
| dc.contributor.author | Малевич, В. Л. | |
| dc.contributor.author | Кроткус, А. | |
| dc.date.accessioned | 2021-11-12T07:31:00Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-12T07:31:00Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 255-258. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271760 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование генерации терагерцовых импульсов при лазерном субпикосекундном возбуждении гетероструктуры GaInAsBi/InP. Показано, что при возбуждении структуры со стороны подложки терагерцовые импульсы меняют полярность, когда энергия фотоэлектронов становится достаточной для их проникновения в широкозонный полупроводник. Данное явление может быть использовано в качестве бесконтактного метода определения потенциального барьера зон проводимости гетероперехода | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами | |
| dc.title.alternative | Generation of terahertz radiation in semiconductor heterostructures by subpicosecond laser pulses / P.A. Ziaziulia, V.L. Malevich, A. Krotkus | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 | |
| dc.description.alternative | The study of terahertz pulse generation at laser subpicosecond excitation of GaInAsBi/InP heterostructures was carried out. It is shown that terahertz pulses change polarity when the energy of photoelectrons becomes sufficient for their penetration into the wide-gap semiconductor when the structure is excited from the substrate. This phenomenon can be used as a method of non-contact determination of the potential barrier of the conduction bands of heterojunctions | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 255-258.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.