Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271728| Title: | Улучшение геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа |
| Other Titles: | Improvement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers / O.Y. Nalivaiko, I.I. Komar, T.V. Piatlitskaya, T.N. Sechko, A.N. Pyatlitski |
| Authors: | Наливайко, О. Ю. Комар, И. И. Петлицкая, Т. В. Сечко, Т. Н. Петлицкий, А. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 142-144. |
| Abstract: | Проведено исследование возможности улучшения геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа. Установлено, что с увеличением зернистости алмазной пасты, используемой на двусторонней полировке кремниевых пластин, возрастает ширина царапин и их количество, что улучшает свойства механического геттера. При этом, при использовании алмазной пасты с зернистостью 5/3 и 7/5 мкм после финишной полировки сохраняются требуемые характеристики рабочей стороны кремниевых пластин |
| Abstract (in another language): | The possibility of improvement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers has been investigated. It was found that the width and quantity of scratchs increase with increasing of grain size of diamond paste, which is used for double side polishing. This effect helps to improve the mechanical getter capacity. Using the diamond paste with grain size of 5/3 and 7/5 micron we can provide the required quality of the front side of silicon wafers |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271728 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Appears in Collections: | 2021. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 142-144.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.