Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271728| Заглавие документа: | Улучшение геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа |
| Другое заглавие: | Improvement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers / O.Y. Nalivaiko, I.I. Komar, T.V. Piatlitskaya, T.N. Sechko, A.N. Pyatlitski |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Комар, И. И. Петлицкая, Т. В. Сечко, Т. Н. Петлицкий, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 142-144. |
| Аннотация: | Проведено исследование возможности улучшения геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа. Установлено, что с увеличением зернистости алмазной пасты, используемой на двусторонней полировке кремниевых пластин, возрастает ширина царапин и их количество, что улучшает свойства механического геттера. При этом, при использовании алмазной пасты с зернистостью 5/3 и 7/5 мкм после финишной полировки сохраняются требуемые характеристики рабочей стороны кремниевых пластин |
| Аннотация (на другом языке): | The possibility of improvement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers has been investigated. It was found that the width and quantity of scratchs increase with increasing of grain size of diamond paste, which is used for double side polishing. This effect helps to improve the mechanical getter capacity. Using the diamond paste with grain size of 5/3 and 7/5 micron we can provide the required quality of the front side of silicon wafers |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271728 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 142-144.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.