Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2021. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271728
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.
dc.contributor.authorКомар, И. И.
dc.contributor.authorПетлицкая, Т. В.
dc.contributor.authorСечко, Т. Н.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.date.accessioned2021-11-12T07:30:54Z-
dc.date.available2021-11-12T07:30:54Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 142-144.
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271728-
dc.description.abstractПроведено исследование возможности улучшения геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа. Установлено, что с увеличением зернистости алмазной пасты, используемой на двусторонней полировке кремниевых пластин, возрастает ширина царапин и их количество, что улучшает свойства механического геттера. При этом, при использовании алмазной пасты с зернистостью 5/3 и 7/5 мкм после финишной полировки сохраняются требуемые характеристики рабочей стороны кремниевых пластин
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleУлучшение геттерирующих свойств сильнолегированных пластин монокристаллического кремния n-типа
dc.title.alternativeImprovement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers / O.Y. Nalivaiko, I.I. Komar, T.V. Piatlitskaya, T.N. Sechko, A.N. Pyatlitski
dc.typeconference paper
dc.identifier.deposit№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
dc.description.alternativeThe possibility of improvement of gettering properties for n-type heavy doped monocrystalline silicon wafers has been investigated. It was found that the width and quantity of scratchs increase with increasing of grain size of diamond paste, which is used for double side polishing. This effect helps to improve the mechanical getter capacity. Using the diamond paste with grain size of 5/3 and 7/5 micron we can provide the required quality of the front side of silicon wafers
Располагается в коллекциях:2021. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
142-144.pdf1,01 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.