Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271145| Заглавие документа: | Электрические и гальваномагнитные характеристики нанокристаллических пленок железа с перпендикулярной магнитной анизотропией, сформированных методом ионно-стимулированного осаждения |
| Другое заглавие: | Electrical and galvanomagnetic characteristics of nanocrystalline iron films with perpendicular magnetic anisotropy formed by ion-stimulated deposition / V.I. Halauchuk, Y.F. Bumai, М.G. Lukashevich, Nikolay Lyadov, Ildar Faizrakhmanov, Rustam Khaibullin |
| Авторы: | Головчук, В. И. Бумай, Ю. А. Лукашевич, М. Г. Лядов, Н. М. Файзрахманов, И. А. Хайбуллин, Р. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 434-438. |
| Аннотация: | Представлены результаты измерений температурной зависимости сопротивления, гистерезиса поперечного и продольного магнитосопротивления (МС) при параллельной (ϕ = 0°) и перпендикулярной (ϕ = 90°) ориентациях направление магнитного поля-плоскость пленки в тонких (d = 80 нм) пленках нанокристаллического железа с доминированием перпендикулярной магнитной анизотропии в температурном интервале 300-2К и магнитном поле до 8 Тл. Обнаружена сильная зависимость знака, величины и вида магнитополевой зависимости МС от температуры (механизма электронного транспорта), угла между направлением магнитного поля и плоскостью пленки, магнитной анизотропии пленки |
| Аннотация (на другом языке): | Measurements of the resistance temperature dependence, transverse and longitudinal magnetoresistance (MR) hysteresis loops at parallel (ϕ = 0) and perpendicular (ϕ = 90°) orientations of the magnetic field direction - film plane in thin (d = 80 nm) films of nanocrystalline iron films have been carried out in the temperature range of 300- 2K and field up to 8T. The films were obtained by ion beam assisted deposition on a silicon substrate. A strong dependence of the sign, magnitude and type of the magnetic field dependence of the MR on temperature (electron transport mechanism), the angle between the direction of the magnetic field and the plane of the film, and the magnetic anisotropy of the film was found |
| Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271145 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Синтез образцов и статические магнитные измерения проводилось в рамках Государственного задания КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН № АААА-А18-118041760011-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 434-438.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.