Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271145
Title: | Электрические и гальваномагнитные характеристики нанокристаллических пленок железа с перпендикулярной магнитной анизотропией, сформированных методом ионно-стимулированного осаждения |
Other Titles: | Electrical and galvanomagnetic characteristics of nanocrystalline iron films with perpendicular magnetic anisotropy formed by ion-stimulated deposition / V.I. Halauchuk, Y.F. Bumai, М.G. Lukashevich, Nikolay Lyadov, Ildar Faizrakhmanov, Rustam Khaibullin |
Authors: | Головчук, В. И. Бумай, Ю. А. Лукашевич, М. Г. Лядов, Н. М. Файзрахманов, И. А. Хайбуллин, Р. И. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2021 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 434-438. |
Abstract: | Представлены результаты измерений температурной зависимости сопротивления, гистерезиса поперечного и продольного магнитосопротивления (МС) при параллельной (ϕ = 0°) и перпендикулярной (ϕ = 90°) ориентациях направление магнитного поля-плоскость пленки в тонких (d = 80 нм) пленках нанокристаллического железа с доминированием перпендикулярной магнитной анизотропии в температурном интервале 300-2К и магнитном поле до 8 Тл. Обнаружена сильная зависимость знака, величины и вида магнитополевой зависимости МС от температуры (механизма электронного транспорта), угла между направлением магнитного поля и плоскостью пленки, магнитной анизотропии пленки |
Abstract (in another language): | Measurements of the resistance temperature dependence, transverse and longitudinal magnetoresistance (MR) hysteresis loops at parallel (ϕ = 0) and perpendicular (ϕ = 90°) orientations of the magnetic field direction - film plane in thin (d = 80 nm) films of nanocrystalline iron films have been carried out in the temperature range of 300- 2K and field up to 8T. The films were obtained by ion beam assisted deposition on a silicon substrate. A strong dependence of the sign, magnitude and type of the magnetic field dependence of the MR on temperature (electron transport mechanism), the angle between the direction of the magnetic field and the plane of the film, and the magnetic anisotropy of the film was found |
Description: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271145 |
ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
Sponsorship: | Синтез образцов и статические магнитные измерения проводилось в рамках Государственного задания КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН № АААА-А18-118041760011-2 |
Appears in Collections: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
434-438.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.