Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271145
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГоловчук, В. И.
dc.contributor.authorБумай, Ю. А.
dc.contributor.authorЛукашевич, М. Г.
dc.contributor.authorЛядов, Н. М.
dc.contributor.authorФайзрахманов, И. А.
dc.contributor.authorХайбуллин, Р. И.
dc.date.accessioned2021-10-28T08:19:06Z-
dc.date.available2021-10-28T08:19:06Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 434-438.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271145-
dc.descriptionСекция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures
dc.description.abstractПредставлены результаты измерений температурной зависимости сопротивления, гистерезиса поперечного и продольного магнитосопротивления (МС) при параллельной (ϕ = 0°) и перпендикулярной (ϕ = 90°) ориентациях направление магнитного поля-плоскость пленки в тонких (d = 80 нм) пленках нанокристаллического железа с доминированием перпендикулярной магнитной анизотропии в температурном интервале 300-2К и магнитном поле до 8 Тл. Обнаружена сильная зависимость знака, величины и вида магнитополевой зависимости МС от температуры (механизма электронного транспорта), угла между направлением магнитного поля и плоскостью пленки, магнитной анизотропии пленки
dc.description.sponsorshipСинтез образцов и статические магнитные измерения проводилось в рамках Государственного задания КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН № АААА-А18-118041760011-2
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleЭлектрические и гальваномагнитные характеристики нанокристаллических пленок железа с перпендикулярной магнитной анизотропией, сформированных методом ионно-стимулированного осаждения
dc.title.alternativeElectrical and galvanomagnetic characteristics of nanocrystalline iron films with perpendicular magnetic anisotropy formed by ion-stimulated deposition / V.I. Halauchuk, Y.F. Bumai, М.G. Lukashevich, Nikolay Lyadov, Ildar Faizrakhmanov, Rustam Khaibullin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeMeasurements of the resistance temperature dependence, transverse and longitudinal magnetoresistance (MR) hysteresis loops at parallel (ϕ = 0) and perpendicular (ϕ = 90°) orientations of the magnetic field direction - film plane in thin (d = 80 nm) films of nanocrystalline iron films have been carried out in the temperature range of 300- 2K and field up to 8T. The films were obtained by ion beam assisted deposition on a silicon substrate. A strong dependence of the sign, magnitude and type of the magnetic field dependence of the MR on temperature (electron transport mechanism), the angle between the direction of the magnetic field and the plane of the film, and the magnetic anisotropy of the film was found
Appears in Collections:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
434-438.pdf1,01 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.