Радиационная стабильность датчиков, изготовленных на основе n-InSb-i-GaAs

Abstract

В работе проведены исследования влияния облучения пучком электронов с энергией 5.5 МэВ дозой 2.5·10 13 эл./см2 и гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 9·10 14 кв./см2 на магнитные и электрические свойства образцов преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Образцы датчиков были изготовлены на основе структур n-InSb-i-GaAs, сформированных методом взрывного термического испарения в рамках Программы Союзного государства «Технология-СГ». Проведенное облучение является имитацией космического радиационного воздействия с поглощенной дозой не менее 5·10 5 рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения свойства датчиков изменились незначительно, т.е. датчики и структуры n-InSb-i-GaAs обладают высокой стойкостью к указанным радиационным воздействиям