Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271038Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Колесникова, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Кулешов, А. К. | |
| dc.contributor.author | Русальский, Д. П. | |
| dc.contributor.author | Гуринович, В. А. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:43Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:43Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 530-533. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271038 | - |
| dc.description | Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий = Section 5. Radiation influence on coatings structure and properties | |
| dc.description.abstract | В работе проведены исследования влияния облучения пучком электронов с энергией 5.5 МэВ дозой 2.5·10 13 эл./см2 и гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 9·10 14 кв./см2 на магнитные и электрические свойства образцов преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Образцы датчиков были изготовлены на основе структур n-InSb-i-GaAs, сформированных методом взрывного термического испарения в рамках Программы Союзного государства «Технология-СГ». Проведенное облучение является имитацией космического радиационного воздействия с поглощенной дозой не менее 5·10 5 рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения свойства датчиков изменились незначительно, т.е. датчики и структуры n-InSb-i-GaAs обладают высокой стойкостью к указанным радиационным воздействиям | |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках задания 1.3 «Дефектно-примесная инженерия радиационно-индуцированных центров в полупроводниковых приборных структурах» государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационная стабильность датчиков, изготовленных на основе n-InSb-i-GaAs | |
| dc.title.alternative | Radiation stability of sensors manufactured on the basis of n-InSb-i-GaAs / E.A. Kolesnikova, A.K. Kuleshov, D.P. Rusalsky, V.A. Gurinovitch | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In this work, studies have been carried out on the effect of irradiation with an electron beam with an energy of 5.5 MeV with a dose of 2.5·10 13 cm-2 and with Co60 γ-irradiation with an exposure dose of at least 9·10 14 cm-2 on the magnetic and electrical properties of samples of Hall converter, transducer of angular displacements and thermistor. Samples of sensors were made on the basis of n-InSb-i-GaAs structures formed by explosive thermal evaporation within the framework of grant 2.3.2.2 of the Program of the Union State "Technology-SG" and are intended for use in outer space as part of space satellites. The irradiation performed is an imitation of cosmic radiation exposure with an absorbed dose of at least 5·10 5 rad. The studies carried out have shown that, as a result of irradiation, the properties of the sensors changed insignificantly; n-InSb-i-GaAs sensors and structures are highly resistant to the specified radiation effects | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 530-533.pdf | 433,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.