Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271038| Заглавие документа: | Радиационная стабильность датчиков, изготовленных на основе n-InSb-i-GaAs |
| Другое заглавие: | Radiation stability of sensors manufactured on the basis of n-InSb-i-GaAs / E.A. Kolesnikova, A.K. Kuleshov, D.P. Rusalsky, V.A. Gurinovitch |
| Авторы: | Колесникова, Е. А. Кулешов, А. К. Русальский, Д. П. Гуринович, В. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 530-533. |
| Аннотация: | В работе проведены исследования влияния облучения пучком электронов с энергией 5.5 МэВ дозой 2.5·10 13 эл./см2 и гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 9·10 14 кв./см2 на магнитные и электрические свойства образцов преобразователя Холла, преобразователя угловых перемещений и терморезистора. Образцы датчиков были изготовлены на основе структур n-InSb-i-GaAs, сформированных методом взрывного термического испарения в рамках Программы Союзного государства «Технология-СГ». Проведенное облучение является имитацией космического радиационного воздействия с поглощенной дозой не менее 5·10 5 рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения свойства датчиков изменились незначительно, т.е. датчики и структуры n-InSb-i-GaAs обладают высокой стойкостью к указанным радиационным воздействиям |
| Аннотация (на другом языке): | In this work, studies have been carried out on the effect of irradiation with an electron beam with an energy of 5.5 MeV with a dose of 2.5·10 13 cm-2 and with Co60 γ-irradiation with an exposure dose of at least 9·10 14 cm-2 on the magnetic and electrical properties of samples of Hall converter, transducer of angular displacements and thermistor. Samples of sensors were made on the basis of n-InSb-i-GaAs structures formed by explosive thermal evaporation within the framework of grant 2.3.2.2 of the Program of the Union State "Technology-SG" and are intended for use in outer space as part of space satellites. The irradiation performed is an imitation of cosmic radiation exposure with an absorbed dose of at least 5·10 5 rad. The studies carried out have shown that, as a result of irradiation, the properties of the sensors changed insignificantly; n-InSb-i-GaAs sensors and structures are highly resistant to the specified radiation effects |
| Доп. сведения: | Секция 5. Влияние излучений на структуру и свойства покрытий = Section 5. Radiation influence on coatings structure and properties |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271038 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках задания 1.3 «Дефектно-примесная инженерия радиационно-индуцированных центров в полупроводниковых приборных структурах» государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 530-533.pdf | 433,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.