Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257353| Title: | Синхронизация переключения бистабильных состояний в элементе резиcтивной памяти на основе оксида гафния |
| Other Titles: | Synchronization of switching of bistable states in a resistive memory element based on hafnium oxide / D. A. Podryabinkin |
| Authors: | Подрябинкин, Д. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 386-389. |
| Abstract: | Приведены результаты моделирования синхронизации переключения бистабильных состояний в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния, стимулированного шумом из состояния с высоким сопротивлением в состояние с низким сопротивлением |
| Abstract (in another language): | The results of modeling the synchronization of switching of bistable states in a resistive memory element based on hafnium oxide, stimulated by noise from a state with a high resistance to a state with a low resistance, are presented |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257353 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 386-389.pdf | 783,5 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.