Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257353
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПодрябинкин, Д. А.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:25Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:25Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 386-389.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257353-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractПриведены результаты моделирования синхронизации переключения бистабильных состояний в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния, стимулированного шумом из состояния с высоким сопротивлением в состояние с низким сопротивлением
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleСинхронизация переключения бистабильных состояний в элементе резиcтивной памяти на основе оксида гафния
dc.title.alternativeSynchronization of switching of bistable states in a resistive memory element based on hafnium oxide / D. A. Podryabinkin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of modeling the synchronization of switching of bistable states in a resistive memory element based on hafnium oxide, stimulated by noise from a state with a high resistance to a state with a low resistance, are presented
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
386-389.pdf783,5 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.