Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257352| Title: | Роль эффекта перегрева активной области в процессах старения светодиодов белого свечения |
| Other Titles: | The role of active region overheating in the ageing processes of white light emitting diodes / A. L. Gurskii, M. V. Masheda |
| Authors: | Гурский, А. Л. Машедо, Н. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 39-45. |
| Abstract: | На основе определения температуры активной области по форме коротковолнового крыла спектров излучения диодной гетероструктуры оценено возрастание перегрева активной области с течением времени в процессе старения светодиодов белого свечения. Показано, что величина перегрева увеличивается примерно на 50 ºС в течение 6000 ч наработки. Полученные результаты свидетельствуют о том, что наблюдаемые изменения колориметрических и спектральных параметров излучения светодиодов могут быть объяснены эффектами, вызванными возрастанием перегрева активной области гетероструктуры за счет увеличения вклада процессов безызлучательной рекомбинации |
| Abstract (in another language): | Based on the determining temperature of the active region from the shape of short-wave wings of radiation spectra of diode heterostructure, the increase of the overheating of active region with increasing time during ageing of white LEDs was estimated. It is demonstrated that the overheating value increases approximately by 50 ºС after 6000 h of operation. The obtained results indicate that the observed changes of the colorimetric and spectral parameters of the LED radiation can be explained by the effects caused by an increase of the over-heating of active region of heterostructure due to increasing contribution of the non-radiative recombination processes |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257352 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.