Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257352| Заглавие документа: | Роль эффекта перегрева активной области в процессах старения светодиодов белого свечения |
| Другое заглавие: | The role of active region overheating in the ageing processes of white light emitting diodes / A. L. Gurskii, M. V. Masheda |
| Авторы: | Гурский, А. Л. Машедо, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 39-45. |
| Аннотация: | На основе определения температуры активной области по форме коротковолнового крыла спектров излучения диодной гетероструктуры оценено возрастание перегрева активной области с течением времени в процессе старения светодиодов белого свечения. Показано, что величина перегрева увеличивается примерно на 50 ºС в течение 6000 ч наработки. Полученные результаты свидетельствуют о том, что наблюдаемые изменения колориметрических и спектральных параметров излучения светодиодов могут быть объяснены эффектами, вызванными возрастанием перегрева активной области гетероструктуры за счет увеличения вклада процессов безызлучательной рекомбинации |
| Аннотация (на другом языке): | Based on the determining temperature of the active region from the shape of short-wave wings of radiation spectra of diode heterostructure, the increase of the overheating of active region with increasing time during ageing of white LEDs was estimated. It is demonstrated that the overheating value increases approximately by 50 ºС after 6000 h of operation. The obtained results indicate that the observed changes of the colorimetric and spectral parameters of the LED radiation can be explained by the effects caused by an increase of the over-heating of active region of heterostructure due to increasing contribution of the non-radiative recombination processes |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257352 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.