Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в структуре Si/SiO2/Si: анализ особенностей спектра поглощения

Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350

Title:	Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в структуре Si/SiO2/Si: анализ особенностей спектра поглощения
Other Titles:	Plasmon absorption of infrared radiation in the Si/SiO2/Si structure: analysis of features of the absorption spectrum / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk
Authors:	Мухаммад, А. И. Гайдук, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 378-381.
Abstract:	С помощью метода конечных разностей во временной области (FDTD) проведено моделирование спектров поглощения структуры (островки Si)/SiO2/Si. Обнаружен эффект множественного резонанса для структуры с размером островка 4 мкм и периодом их повторения 8 мкм. Для такой структуры обнаружена широкая полоса (>12 мкм) высокого уровня поглощения излучения (>80%). Для спектрального диапазона 10–20 мкм выявлено, что широкие полосы поглощения возникают благодаря распространяющимся поверхностным плазмонам на границе разделов диэлектрика и слоев высоколегированного кремния
Abstract (in another language):	The time domain finite difference (FDTD) method was used to model the absorption spectra of the structure (Si islands)/SiO2/Si. The effect of multiple resonance was found for a structure with an islands size of 4 microns and period of 8 microns. A wide band (>12 microns) of high radiation absorption (>80%) was found for this structure. For the spectral range of 10–20 microns, it was found that wide absorption bands occur due to propagating surface plasmons at the boundary of the dielectric sections and layers of high-alloyed silicon
Description:	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350
ISBN:	978-985-881-073-3
Appears in Collections:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
378-381.pdf		497,37 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar