Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в структуре Si/SiO2/Si: анализ особенностей спектра поглощения

Мухаммад, А. И.; Гайдук, П. И.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Мухаммад, А. И.
dc.contributor.author	Гайдук, П. И.
dc.date.accessioned	2021-03-24T12:26:25Z	-
dc.date.available	2021-03-24T12:26:25Z	-
dc.date.issued	2020
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 378-381.
dc.identifier.isbn	978-985-881-073-3
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257350	-
dc.description	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstract	С помощью метода конечных разностей во временной области (FDTD) проведено моделирование спектров поглощения структуры (островки Si)/SiO2/Si. Обнаружен эффект множественного резонанса для структуры с размером островка 4 мкм и периодом их повторения 8 мкм. Для такой структуры обнаружена широкая полоса (>12 мкм) высокого уровня поглощения излучения (>80%). Для спектрального диапазона 10–20 мкм выявлено, что широкие полосы поглощения возникают благодаря распространяющимся поверхностным плазмонам на границе разделов диэлектрика и слоев высоколегированного кремния
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Плазмонное поглощение инфракрасного излучения в структуре Si/SiO2/Si: анализ особенностей спектра поглощения
dc.title.alternative	Plasmon absorption of infrared radiation in the Si/SiO2/Si structure: analysis of features of the absorption spectrum / A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The time domain finite difference (FDTD) method was used to model the absorption spectra of the structure (Si islands)/SiO2/Si. The effect of multiple resonance was found for a structure with an islands size of 4 microns and period of 8 microns. A wide band (>12 microns) of high radiation absorption (>80%) was found for this structure. For the spectral range of 10–20 microns, it was found that wide absorption bands occur due to propagating surface plasmons at the boundary of the dielectric sections and layers of high-alloyed silicon
Располагается в коллекциях:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
378-381.pdf		497,37 kB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.