Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257349| Title: | Структурно-фазовый состав и люминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Zn и (Zn+O): влияние режимов имплантации и термообработки |
| Other Titles: | Structural-phase composition and luminescence of SiO2 layers implanted with Zn and (Zn+O) ions: effect of implantation and annealing regimes / М. А. Мakhavikou, F. F. Komarov, О. V. Milchanin, I. N. Parkhomenko, L. А. Vlasukova, J. Żuk, E. Wendler, А. V. Mudryi, D. S. Korolev |
| Authors: | Моховиков, М. А. Комаров, Ф. Ф. Мильчанин, О. В. Пархоменко, И. Н. Власукова, Л. А. Żuk, J. Wendler, E. Мудрый, А. В. Королев, Д. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 374-377. |
| Abstract: | Работа посвящена структурным и оптическим исследованиям слоев диоксида кремния после высокодозной имплантации ионов Zn и Zn+O и термообработки. Методом электронной дифракции установлено, что имплантация ионами Zn с последующей термообработкой приводит к формированию фазы ромбического Zn2SiO4 (R-3), а при двойной имплантации (Zn+ ↓+ O+ ↓) наблюдается формирование фазы кубического ZnO (F-43m). Показано, что фотолюминесценция нанокомпозитов (SiO2+Zn) и (SiO2+Zn+O) связана с образованием радиационных дефектов в матрице SiO2 в результате имплантации. Последующая термообработка приводит к тушению фотолюминесценции для образцов, имплантированных только ионами цинка, и к росту интенсивности свечения для образцов с двойной имплантацией. Показано, что свечение обусловлено радиационными дефектами и образованием фаз кристаллического Zn2SiO4 и ZnO для образцов, имплантированных только цинком и Zn+O соответственно |
| Abstract (in another language): | This work is devoted to the structural and optical studies of silicon dioxide layers after high-fluence implantation of Zn and (Zn+O) ions followed by annealing. It was found that implantation with Zn ions followed by furnace annealing results in the formation of orthorhombic Zn2SiO4 phase (space group R-3), and the implantation with Zn and O ions with subsequent annealing results in zinc blende ZnO phase (space group F-43m) formation. It has been shown, that the nature of photoluminescence of ion-beam synthesized (SiO2+Zn) and (SiO2+Zn+O) nanocomposites is associated with the formation of radiative defects in SiO2 matrix. Subsequent annealing results in a decrease of photoluminescence intensity for the samples implanted with zinc, and an increase of emission intensity for the double implanted samples. The observed luminescence can be assigned to radiative defects and formation of crystalline phases of Zn2SiO4 and ZnO for samples implanted only with Zn ions and with Zn+O ions, respectively |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257349 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Sponsorship: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.5.05 ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (номер госрегистрации 20191830) и грантов БРФФИ (№ Т19РМ-041) и РФФИ (19-57-04005) |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 374-377.pdf | 1,39 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.