Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и гексогонального нитрида бора

Муравьев, В. В.; Мищенко, В. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257348

Title:	Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и гексогонального нитрида бора
Other Titles:	Modeling the output characteristics of field transistors using graphene and hexogonal boron nitride / V. V. Muravyev, V. N. Mishchenka
Authors:	Муравьев, В. В. Мищенко, В. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 371-373.
Abstract:	С использованием метода Монте-Карло разработана программа для моделирования выходных характеристик полевых транзисторов, включающих в себя слои графена и гексогонального нитрида бора. Получены основные характеристики полевого транзистора – зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на затворе. Показана перспективность использования графена в конструкциях полупроводниковых приборов диапазонов СВЧ и КВЧ
Abstract (in another language):	A program has been developed using the Monte Carlo method to simulate the output characteristics of field-effect transistors using graphene and boron hexogonal nitride. The main characteristics of the field-effect transistor – dependence of the flow output current on the value of direct voltage at the gate – have been obtained. Perspectivity of use of graphene in constructions of semiconductor devices of microwave and microwave ranges is shown
Description:	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257348
ISBN:	978-985-881-073-3
Appears in Collections:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
371-373.pdf		490,87 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar