Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257348
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМуравьев, В. В.
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:24Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:24Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 371-373.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257348-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractС использованием метода Монте-Карло разработана программа для моделирования выходных характеристик полевых транзисторов, включающих в себя слои графена и гексогонального нитрида бора. Получены основные характеристики полевого транзистора – зависимости выходного тока стока от величины постоянного напряжения на затворе. Показана перспективность использования графена в конструкциях полупроводниковых приборов диапазонов СВЧ и КВЧ
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием графена и гексогонального нитрида бора
dc.title.alternativeModeling the output characteristics of field transistors using graphene and hexogonal boron nitride / V. V. Muravyev, V. N. Mishchenka
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeA program has been developed using the Monte Carlo method to simulate the output characteristics of field-effect transistors using graphene and boron hexogonal nitride. The main characteristics of the field-effect transistor – dependence of the flow output current on the value of direct voltage at the gate – have been obtained. Perspectivity of use of graphene in constructions of semiconductor devices of microwave and microwave ranges is shown
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
371-373.pdf490,87 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.