Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257334| Заглавие документа: | Особенности электрохимического осаждения индия в окисленный пористый кремний |
| Другое заглавие: | Specifics of indium electrochemical deposition into oxidized porous silicon / N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko |
| Авторы: | Гревцов, Н. Л. Бондаренко, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 315-320. |
| Аннотация: | Индий был осажден в пористый кремний путем электрохимической обработки в водном растворе сульфатов индия и натрия. Установлено, что предварительное окисление пористого кремния перед осаждением металла способно привести к преимущественному формированию металлических частиц индия на стенках пор в связи с преобладающим окислением верхней части пористого слоя. Дополнительное углубление индия в поры достигается при введении после осаждения индия стадии вакуумного отжига, обеспечивающего частичное оплавление осажденных металлических частиц |
| Аннотация (на другом языке): | Indium was deposited into the porous silicon via electrochemical plating using a water solution containing indium and sodium sulfates. The results would suggest that preemptive oxidation of porous silicon causes the metal to primarily be deposited deep within the pore channels, most likely due to preferential oxidation of the uppermost porous layer areas leading to locally reduced current flow. An additional increase in plating depth can be achieved by annealing the samples in vacuum after indium is deposited, causing the metal particles to partially melt |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257334 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 315-320.pdf | 3 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.