Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257334Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:22Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:22Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 315-320. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257334 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Индий был осажден в пористый кремний путем электрохимической обработки в водном растворе сульфатов индия и натрия. Установлено, что предварительное окисление пористого кремния перед осаждением металла способно привести к преимущественному формированию металлических частиц индия на стенках пор в связи с преобладающим окислением верхней части пористого слоя. Дополнительное углубление индия в поры достигается при введении после осаждения индия стадии вакуумного отжига, обеспечивающего частичное оплавление осажденных металлических частиц | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Особенности электрохимического осаждения индия в окисленный пористый кремний | |
| dc.title.alternative | Specifics of indium electrochemical deposition into oxidized porous silicon / N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Indium was deposited into the porous silicon via electrochemical plating using a water solution containing indium and sodium sulfates. The results would suggest that preemptive oxidation of porous silicon causes the metal to primarily be deposited deep within the pore channels, most likely due to preferential oxidation of the uppermost porous layer areas leading to locally reduced current flow. An additional increase in plating depth can be achieved by annealing the samples in vacuum after indium is deposited, causing the metal particles to partially melt | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 315-320.pdf | 3 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.