Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257316
Заглавие документа: Linear magnetoresistance in graphene formed on silicon carbide: two dimensional magnetotransport
Авторы: Poklonski, N. A.
Samuilov, V. A.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 243-248.
Аннотация: In this study we have tested the magnetoresistance (MR) and Hall-effect in grapheme formed on semi-insulating 4H-SiC substrate by thermal decomposition of its silicon face (0001) in Ar ambient at a high temperature of 1800–2000 °C over the large areas of SiC without any passivation for checking a possibility for sensor applications. Testing was done in a relatively low magnetic fields (up to 3 T) in the temperature range from 300 to 4.2 K. A large (up to 10%) and linear magnetoresistance was observed at 300 K, which is distinctively different from the other carbon nanomaterials. Furthermore, negative magnetoresistance behavior at a low field regime for low temperatures is recognized as a weak localization in graphene. This study suggests the potential of utilizing graphene formed on semi-insulating 4H-SiC for room temperature magneto-electronic device applications and for the sensors of first order phase transitions ice–water
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257316
ISBN: 978-985-881-073-3
Финансовая поддержка: The authors are thankful to Helava Systems and Graphene Labs for providing grapheme on SiC and 3D sponge-like graphene material, and to Fernando Camino and the Proposal #43623 at the Center for Functional Nanomaterials (BNL) for help with the graphene on SiC characterization. The work was partially supported by the Belarusian National Research Program “Mattekh” and by the EU Framework Programme for Research and Innovation Horizon 2020 (Grant No. H2020-MSCA-RISE-2019-871284 SSHARE)
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
243-248.pdf402,82 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.