Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257299
Title: | Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах |
Other Titles: | Simulation of radiation effects in MOS and bipolar structures / S. A. Miskiewicz, V. N. Yuvchenko, F. F. Komarov, A. F. Komarov, G. M. Zayats |
Authors: | Мискевич, С. А. Ювченко, В. Н. Комаров, Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Заяц, Г. М. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2020 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 184-188. |
Abstract: | Разработаны физико-математические модели, программное обеспечение и управляющие программы для моделирования радиационных изменений рабочих характеристик биполярных транзисторов (БТ) и структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Проведено моделирование при облучении МДП гамма-квантами 60Co 1,2 МэВ дозами до 1,1·10 7 рад и БТ гамма-квантами, нейтронами и электронами. Получены зависимости порогового напряжения МДП структур, коэффициента усиления БТ от дозы облучения |
Abstract (in another language): | The software including the models and interface programs for simulation of radiation changes in the characteristics of MOS and bipolar junction transistors (BJT) was developed. Simulation of 1.2 MeV gamma-quants, neutron and electron impact on MOS and BJT was performed to the doses 1.1×10 7 Rad. The dependences of the MOS threshold voltage and the BJT current gain on the dose were calculated |
Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257299 |
ISBN: | 978-985-881-073-3 |
Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
184-188.pdf | 1,46 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.