Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257299
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМискевич, С. А.
dc.contributor.authorЮвченко, В. Н.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.contributor.authorКомаров, А. Ф.
dc.contributor.authorЗаяц, Г. М.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:15Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:15Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 184-188.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257299-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractРазработаны физико-математические модели, программное обеспечение и управляющие программы для моделирования радиационных изменений рабочих характеристик биполярных транзисторов (БТ) и структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Проведено моделирование при облучении МДП гамма-квантами 60Co 1,2 МэВ дозами до 1,1·10 7 рад и БТ гамма-квантами, нейтронами и электронами. Получены зависимости порогового напряжения МДП структур, коэффициента усиления БТ от дозы облучения
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах
dc.title.alternativeSimulation of radiation effects in MOS and bipolar structures / S. A. Miskiewicz, V. N. Yuvchenko, F. F. Komarov, A. F. Komarov, G. M. Zayats
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe software including the models and interface programs for simulation of radiation changes in the characteristics of MOS and bipolar junction transistors (BJT) was developed. Simulation of 1.2 MeV gamma-quants, neutron and electron impact on MOS and BJT was performed to the doses 1.1×10 7 Rad. The dependences of the MOS threshold voltage and the BJT current gain on the dose were calculated
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
184-188.pdf1,46 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.