Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257282| Title: | О некоторых аспектах математического моделирования взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишенью |
| Other Titles: | Some aspects of mathematical modeling of interaction of kV electrons with a multilayer semiconductor target / M. A. Stepovich, V. V. Kalmanovich, E. V. Seregina |
| Authors: | Степович, М. А. Калманович, В. В. Серегина, Е. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 116-121. |
| Abstract: | Рассмотрены некоторые возможности использования матричного метода для математического моделирования процессов взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишенью. Модельные расчёты проведены для процессов тепломассопереноса в двухслойной структуре: в монокристаллическом нитриде галлия на различных полупроводниковых подложках. Показано, что решение дифференциальных уравнений тепломассопереноса с правой частью, отвечающей электрофизическим параметрам плёнки нитрида галлия, в т.ч. и при проведении расчётов в ином подложечном материале, может дать лишь оценочные значения распределений неравновесных неосновных носителей заряда, генерированных широким пучком электронов, в результате их диффузии в такой двухслойной структуре |
| Abstract (in another language): | Some possibilities of using the matrix method for mathematical modeling of the processes of interaction of kilovolt electrons with a multilayer semiconductor target are considered. Model calculations were carried out for heat and mass transfer processes in a two-layer structure: in single-crystal gallium nitride on various semiconductor substrates. It is shown that the solution of the differential equations of heat and mass transfer with the right-hand side corresponding to the electrophysical parameters of a gallium nitride film, including when performing calculations in a different substrate material, can only give estimated values of the distributions of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide electron beam as a result of their diffusion in such a two-layer structure |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257282 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Sponsorship: | Исследования проведены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-03-00271), а также РФФИ и правительства Калужской области (проект № 18-41-400001) |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 116-121.pdf | 498,86 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.