Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257282Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Степович, М. А. | |
| dc.contributor.author | Калманович, В. В. | |
| dc.contributor.author | Серегина, Е. В. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:11Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:11Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 116-121. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257282 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Рассмотрены некоторые возможности использования матричного метода для математического моделирования процессов взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишенью. Модельные расчёты проведены для процессов тепломассопереноса в двухслойной структуре: в монокристаллическом нитриде галлия на различных полупроводниковых подложках. Показано, что решение дифференциальных уравнений тепломассопереноса с правой частью, отвечающей электрофизическим параметрам плёнки нитрида галлия, в т.ч. и при проведении расчётов в ином подложечном материале, может дать лишь оценочные значения распределений неравновесных неосновных носителей заряда, генерированных широким пучком электронов, в результате их диффузии в такой двухслойной структуре | |
| dc.description.sponsorship | Исследования проведены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-03-00271), а также РФФИ и правительства Калужской области (проект № 18-41-400001) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | О некоторых аспектах математического моделирования взаимодействия киловольтных электронов с многослойной полупроводниковой мишенью | |
| dc.title.alternative | Some aspects of mathematical modeling of interaction of kV electrons with a multilayer semiconductor target / M. A. Stepovich, V. V. Kalmanovich, E. V. Seregina | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Some possibilities of using the matrix method for mathematical modeling of the processes of interaction of kilovolt electrons with a multilayer semiconductor target are considered. Model calculations were carried out for heat and mass transfer processes in a two-layer structure: in single-crystal gallium nitride on various semiconductor substrates. It is shown that the solution of the differential equations of heat and mass transfer with the right-hand side corresponding to the electrophysical parameters of a gallium nitride film, including when performing calculations in a different substrate material, can only give estimated values of the distributions of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide electron beam as a result of their diffusion in such a two-layer structure | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 116-121.pdf | 498,86 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.