Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257281
Title: Формирование полупроводниковых приборов с диодами Шоттки с использованием быстрой термообработки
Other Titles: Formation of semiconductor devices with Schottky diodes using rapid thermal treatment / Ja. A. Solovjov, V. A. Solodukha, V. A. Pilipenko, D. V. Zhygulin, E. S. Atsetskaya, O. E. Sarychev
Authors: Соловьёв, Я. А.
Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Жигулин, Д. В.
Ацецкая, Е. С.
Сарычев, О. Э.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 111-115.
Abstract: При быстрой термообработке пленок никеля, платины и сплава никель-платина-ванадий некогерентным световым потоком в режиме теплового баланса в диапазоне температур от 400 до 550 °С получены барьеры Шоттки высотой 0,63, 0,71 и 0,82 В. Это обеспечивает работоспособность диодов Шоттки при верхней границе диапазона температур окружающей среды от +125 до +175 °С
Abstract (in another language): Schottky barriers with height of 0.63 V, 0.71 V and 0.82 V were obtained by rapid thermal treatment of nickel, platinum and nickel-platinum-vanadium alloy films on silicon with non-coherent light flux in thermal balance mode at temperature range from 400 °С to 550°С. This ensures the operability of Schottky diodes at the upper limit of the ambient temperature range from+125°С to +175°С
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257281
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
111-115.pdf513,01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.