Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2020. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257281
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСоловьёв, Я. А.
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorЖигулин, Д. В.
dc.contributor.authorАцецкая, Е. С.
dc.contributor.authorСарычев, О. Э.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:11Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 111-115.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257281-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПри быстрой термообработке пленок никеля, платины и сплава никель-платина-ванадий некогерентным световым потоком в режиме теплового баланса в диапазоне температур от 400 до 550 °С получены барьеры Шоттки высотой 0,63, 0,71 и 0,82 В. Это обеспечивает работоспособность диодов Шоттки при верхней границе диапазона температур окружающей среды от +125 до +175 °С
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleФормирование полупроводниковых приборов с диодами Шоттки с использованием быстрой термообработки
dc.title.alternativeFormation of semiconductor devices with Schottky diodes using rapid thermal treatment / Ja. A. Solovjov, V. A. Solodukha, V. A. Pilipenko, D. V. Zhygulin, E. S. Atsetskaya, O. E. Sarychev
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeSchottky barriers with height of 0.63 V, 0.71 V and 0.82 V were obtained by rapid thermal treatment of nickel, platinum and nickel-platinum-vanadium alloy films on silicon with non-coherent light flux in thermal balance mode at temperature range from 400 °С to 550°С. This ensures the operability of Schottky diodes at the upper limit of the ambient temperature range from+125°С to +175°С
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
111-115.pdf513,01 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.