Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257271| Title: | Перенос заряда в структуре оксид титана/кремний при облучении солнечным светом |
| Other Titles: | Charge transfer in the titanium oxide / silicon structure under sun-light irradiation / A. A. Kuraptsova |
| Authors: | Курапцова, А. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 74-77. |
| Abstract: | В данной работе приводятся результаты моделирования переноса заряда в структуре пленка оксида титана на подложке из кремния при облучении солнечным светом. Моделирование проводилось в среде Comsol Multiphysics. В ходе моделирования исследовалось влияние толщины пленки оксида титана и длины волны излучения на величину и изменение во времени плотности электрического заряда на поверхности и в объеме структуры, концентрации носителей заряда. Также оценивалась величина и направление электронных и дырочных токов протекающих в структуре |
| Abstract (in another language): | In this work, we present the results of modeling the charge transfer in the titanium oxide /silicon structure under sun-light irradiation. The simulation was done with the Comsol Multiphysics environment. In the course of the simulation, the influence of the titanium oxide film thickness and the irradiation wavelength on the magnitude and time variation of the electric charge density on the surface and in the structure volume, the concentration of charge carriers, and the electron and hole currents flowing in the structure were investigated |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257271 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.