Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257271
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКурапцова, А. А.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:09Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:09Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 74-77.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257271-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractВ данной работе приводятся результаты моделирования переноса заряда в структуре пленка оксида титана на подложке из кремния при облучении солнечным светом. Моделирование проводилось в среде Comsol Multiphysics. В ходе моделирования исследовалось влияние толщины пленки оксида титана и длины волны излучения на величину и изменение во времени плотности электрического заряда на поверхности и в объеме структуры, концентрации носителей заряда. Также оценивалась величина и направление электронных и дырочных токов протекающих в структуре
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleПеренос заряда в структуре оксид титана/кремний при облучении солнечным светом
dc.title.alternativeCharge transfer in the titanium oxide / silicon structure under sun-light irradiation / A. A. Kuraptsova
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIn this work, we present the results of modeling the charge transfer in the titanium oxide /silicon structure under sun-light irradiation. The simulation was done with the Comsol Multiphysics environment. In the course of the simulation, the influence of the titanium oxide film thickness and the irradiation wavelength on the magnitude and time variation of the electric charge density on the surface and in the structure volume, the concentration of charge carriers, and the electron and hole currents flowing in the structure were investigated
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
74-77.pdf725,56 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.