Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257269| Заглавие документа: | Структура и терморезистивные свойства плёнок антимонида индия, полученных методом взрывного термического испарения |
| Другое заглавие: | Structure and thermalresistant properties of india antimonide films obtained by explosive thermal evaporation / E. A. Kolesnikova, V. V. Uglov, A. P. Drapezo, A. K. Kuleshov, D. P. Rusalsky |
| Авторы: | Колесникова, Е. А. Углов, В. В. Драпезо, А. П. Кулешов, А. К. Русальский, Д. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 65-70. |
| Аннотация: | В работе рассматриваются структурные изменения и терморезистивные свойства плёнок антимонида индия на монокристаллических подложках арсенида галлия, полученных методом взрывного термического испарения, в зависимости от температуры осаждения. Было установлено, что тонкая плёнка антимонида индия, температура осаждения которой составляет 430–440 °С, имеет наибольшее значение температурного коэффициента сопротивления. Из плёнок, полученных в установленном интервале температур, были изготовлены опытные образцы тонкоплёночных терморезисторов со следующими характеристиками: номинальное сопротивление R 25 = (804 ± 0,12) Ом; температурный коэффициент сопротивления α = (−1,23 ± 0,02) %К-1; коэффициент температурной чувствительности B = (1090 ± 20) К |
| Аннотация (на другом языке): | Experimental results of the study of structural changes and thermoresistive properties of indium antimonide films on single-crystal gallium arsenide substrates obtained by explosive thermal evaporation, depending on the deposition temperature. It was found that a thin film of indium antimonide, the deposition temperature of which is 430–440 °C, has the highest value of the temperature coefficient of resistance. From the films obtained in the established temperature range, prototypes of thin-film thermistors with the following characteristics were made: nominal resistance R 25 = (804 ± 0,12) Om; temperature coefficient of resistance α = (−1,23 ± 0.02) %K-1; temperature sensitivity coefficient B = (1090 ± 20) K |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257269 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена в рамках программы союзного государства «Технология-СГ» задание 2.3.2.2. |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.