Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257255| Title: | Влияние ориентации поверхности на теплопроводность тонких пленок Si/Ge |
| Other Titles: | Effect of surface orientation on thermal conductivity of Si/Ge thin films / A. L. Khomets, I. I. Kholyavo, D. B. Migas, I. V. Safronov |
| Authors: | Хомец, А. Л. Холяво, И. И. Мигас, Д. Б. Сафронов, И. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 433-438. |
| Abstract: | В данной работе исследовалось влияние морфологии на решеточную составляющую теплопроводности в тонких пленках на основе Si и Ge с помощью метода неравновесной молекулярной динамики, реализованного в программном пакете LAMMPS. Рассматривались тонкие пленки с (110), (100) и (111) ориентациями и толщинами от 1,08 до 7,5 нм в зависимости от ориентации. Результаты показывают, что при распространении теплового потока вдоль одного направления существенное влияние на решеточную теплопроводность оказывает кристаллографическая ориентация пленки. При распространении теплового потока вдоль направления [110] коэффициент решеточной составляющей теплопроводности имеет наименьшее значение для пленки с (100) ориентацией и равен 5,1 Вт/м·K |
| Abstract (in another language): | In this paper we present our results obtained by molecular dynamics simulations (the code LAMMPS) how morphology affects lattice thermal conductivity of Si and Ge thin films. (110), (100) and (111) orientations of thin films with thickness of 1.08 to 7.5 nm with respect to the orientation and a number of Si-Ge layers. The results show that when the heat flux propagates along the same direction, the crystallographic orientation of the film has a significant effect on the lattice thermal conductivity. When the heat flux spreads along [110] direction of a film with the (100) orientation, the lattice thermal conductivity has the lowest value of 5.1 W/(m·K) |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257255 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 433-438.pdf | 928,56 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.