Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257255Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-24T12:26:06Z | - |
| dc.date.available | 2021-03-24T12:26:06Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 433-438. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-073-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257255 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | В данной работе исследовалось влияние морфологии на решеточную составляющую теплопроводности в тонких пленках на основе Si и Ge с помощью метода неравновесной молекулярной динамики, реализованного в программном пакете LAMMPS. Рассматривались тонкие пленки с (110), (100) и (111) ориентациями и толщинами от 1,08 до 7,5 нм в зависимости от ориентации. Результаты показывают, что при распространении теплового потока вдоль одного направления существенное влияние на решеточную теплопроводность оказывает кристаллографическая ориентация пленки. При распространении теплового потока вдоль направления [110] коэффициент решеточной составляющей теплопроводности имеет наименьшее значение для пленки с (100) ориентацией и равен 5,1 Вт/м·K | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Влияние ориентации поверхности на теплопроводность тонких пленок Si/Ge | |
| dc.title.alternative | Effect of surface orientation on thermal conductivity of Si/Ge thin films / A. L. Khomets, I. I. Kholyavo, D. B. Migas, I. V. Safronov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In this paper we present our results obtained by molecular dynamics simulations (the code LAMMPS) how morphology affects lattice thermal conductivity of Si and Ge thin films. (110), (100) and (111) orientations of thin films with thickness of 1.08 to 7.5 nm with respect to the orientation and a number of Si-Ge layers. The results show that when the heat flux propagates along the same direction, the crystallographic orientation of the film has a significant effect on the lattice thermal conductivity. When the heat flux spreads along [110] direction of a film with the (100) orientation, the lattice thermal conductivity has the lowest value of 5.1 W/(m·K) | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 433-438.pdf | 928,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.