Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254
Title: Исследование влияния границы раздела на теплопроводность <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа
Other Titles: Study of the interface influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si/Ge nanowires with core-shell and segment structures / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas
Authors: Холяво, И. И.
Хомец, А. Л.
Сафронов, И. В.
Мигас, Д. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 428-433.
Abstract: В работе проведено исследование влияния границы раздела наношнуров Si и Ge с ориентацией <011> и диаметром около 5 нм на их теплопроводность с помощью метода неравновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS. Обнаружено, что для наношнуров Si-ядро/Ge-оболочка возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 10 Вт/(м·К), и для наношнуров сегментного типа 2 Вт/(м·К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют соответственно 19,1 и 11,4 Вт/(м·К). Учет эффекта перемешивания атомов на границе раздела приводит к снижению теплопроводности
Abstract (in another language): In this paper we studied the effect of the interfaces influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si and Ge nanowires with diameters of about 5 nm using nonequilibrium molecular dynamics, implemented in the LAMMPS package. It was found that for Si-core / Ge-shell nanowires a thermal conductivity coefficient can be less than 10 W/(m·K), while for segment-type nanowires 2 W/(m·K) was found to compared with 19.1 and 11.4 W/(m·K) for bare Si and Ge nanowires, respectively. Calculations also show that intermixing at the interface leads to a decrease in thermal conductivity
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254
ISBN: 978-985-881-073-3
Appears in Collections:2020. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
428-433.pdf1,09 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.