Исследование влияния границы раздела на теплопроводность <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа

Холяво, И. И.; Хомец, А. Л.; Сафронов, И. В.; Мигас, Д. Б.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Холяво, И. И.
dc.contributor.author	Хомец, А. Л.
dc.contributor.author	Сафронов, И. В.
dc.contributor.author	Мигас, Д. Б.
dc.date.accessioned	2021-03-24T12:26:06Z	-
dc.date.available	2021-03-24T12:26:06Z	-
dc.date.issued	2020
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 428-433.
dc.identifier.isbn	978-985-881-073-3
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/257254	-
dc.description	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstract	В работе проведено исследование влияния границы раздела наношнуров Si и Ge с ориентацией <011> и диаметром около 5 нм на их теплопроводность с помощью метода неравновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS. Обнаружено, что для наношнуров Si-ядро/Ge-оболочка возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 10 Вт/(м·К), и для наношнуров сегментного типа 2 Вт/(м·К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют соответственно 19,1 и 11,4 Вт/(м·К). Учет эффекта перемешивания атомов на границе раздела приводит к снижению теплопроводности
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Исследование влияния границы раздела на теплопроводность <011>-ориентированных наношнуров Si/Ge со структурами типа ядро-оболочка и сегментного типа
dc.title.alternative	Study of the interface influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si/Ge nanowires with core-shell and segment structures / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	In this paper we studied the effect of the interfaces influence on thermal conductivity of <011>-oriented Si and Ge nanowires with diameters of about 5 nm using nonequilibrium molecular dynamics, implemented in the LAMMPS package. It was found that for Si-core / Ge-shell nanowires a thermal conductivity coefficient can be less than 10 W/(m·K), while for segment-type nanowires 2 W/(m·K) was found to compared with 19.1 and 11.4 W/(m·K) for bare Si and Ge nanowires, respectively. Calculations also show that intermixing at the interface leads to a decrease in thermal conductivity
Располагается в коллекциях:	2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
428-433.pdf		1,09 MB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.