ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста

Abstract

С использованием метода ЭПР установлена природа стабильных радикалов в имплантированных ионами бора и фосфора пленках позитивного фоторезиста ФП9120, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния. При дозе имплантации 6 × 10^15 см^–2 в спектре ЭПР наблюдается узкая синглетная изотропная линия c g-фактором 2.0064. При увеличении дозы до 1.2 × 10^16 см^–2 величина ее g-фактора снижалась до значений, близких к g-фактору свободного электрона. Концентрация парамагнитных центров была выше при имплантации ионов фосфора, чем в образцах имплантированных ионами бора. Указанное обстоятельство связано с тем, что при имплантации В+ вклад ядерного торможения мал и не превышает 10–15% от электронного торможения. Образование долгоживущих парамагнитных центров, регистрируемых методом ЭПР спустя недели после имплантации позитивного фенолформальдегидного фоторезиста, обусловлено наличием в структуре радикалов мощной системы сопряженных >C=O и –С=С– кратных связей.