Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/253612
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБазаров, В. В.-
dc.contributor.authorБумай, Ю. А.-
dc.contributor.authorВалеев, В. Ф.-
dc.contributor.authorГоловчук, В. И.-
dc.contributor.authorЛукашевич, М. Г.-
dc.contributor.authorНуждин, В. И.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorХарченко, А. А.-
dc.contributor.authorХайбуллин, Р. И.-
dc.date.accessioned2020-12-28T15:55:00Z-
dc.date.available2020-12-28T15:55:00Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЖурнал прикладной спектроскопии – 2020. – Т. 87, № 3. – С. 476–480ru
dc.identifier.issn0514-7506-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/253612-
dc.description.abstractПредставлены спектральные зависимости коэффициентов пропускания и отражения в диапазоне длин волн 200-1100 нм пленок полиамида толщиной 40 мкм, имплантированных ионами кобальта с энергией 40 кэВ в интервале доз 2.5×10^16 - 1.5×10^17см^- 2 при плотности тока в ионном пучке 4 мкА/см^2. Имплантация приводит к существенному (до 80 %) уменьшению пропускания имплантированными пленками и увеличению отражения как имплантированной, так и неимплантированной стороной вследствие карбонизации приповерхностного слоя и формирования в нем включений кобальта. В рамках двух- и трехслойной моделей, включающих в себя один или два модифицированных слоя и неповрежденную часть пленки, проведено моделирование прохождения света при падении на имплантированную и неимплантированную стороны и определена дозовая зависимость эффективного показателя преломления модифицированного слоя, который в исследуемом интервале доз изменяется в пределах 1.3-2.1.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherГНУ "Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси"ru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМодификация оптических характеристик пленок полиамида имплантацией ионов кобальтаru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.