Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253609
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
dc.contributor.author | Панфиленко, А. К. | - |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
dc.date.accessioned | 2020-12-28T14:19:23Z | - |
dc.date.available | 2020-12-28T14:19:23Z | - |
dc.date.issued | 2020 | - |
dc.identifier.citation | Журнал Белорусского государственного университета. Физика. – 2020. – № 3. – С. 55–64. | ru |
dc.identifier.issn | 2520-2243 (print) | - |
dc.identifier.issn | 2617-3999 (online) | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/253609 | - |
dc.description.abstract | Исследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой. В ряд приборов дополнительно производилась ионная имплантация азота с энергиями 20 и 40 кэВ в диапазоне доз 1⋅10^13–5⋅10^14 см^–2 через защитный оксид толщиной 20 нм. Для одной группы пластин сначала выполнялся быстрый термический отжиг, затем осуществлялось снятие оксида (прямой порядок), для другой группы – в противоположной последовательности (обратный порядок). Установлено, что при дополнительном внедрении ионов азота дозами 1⋅10^13–5⋅10^13 см^–2 с энергией 20 кэВ наблюдается увеличение заряда пробоя подзатворного диэлектрика для прямого порядка отжига. Максимальный эффект имел место для образцов при дозе ионов азота 1⋅10^13 см^ –2 и прямом порядке термообработки. Это обусловлено взаимодействием в процессе отжига атомов азота с оборванными связями границы раздела Si – SiO2, в результате чего образуются прочные химические связи, препятствующие накоплению заряда на поверхности границы раздела Si – SiO2. Предположено, что основной вклад в ток утечки затвора вносит туннелирование носителей заряда через ловушки. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Белорусский государственный университет | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
dc.title | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов | ru |
dc.title.alternative | Influence of nitrogen ion implantation on the electrophysical properties of the gate dielectric of power MOSFETs | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.33581/2520-2243-2020-3-55-64 | - |
dc.description.alternative | Power MOS-transistors with vertical structure are investigated. Additionally, in some devices, ion implantation of nitrogen with energies of 20 and 40 keV was carried out in a dose range of 1⋅10^13–5⋅10^14 cm^–2 through a sacrificial oxide 20 nm thick. For one group of wafers, rapid thermal annealing was first carried out, then oxide removal (forward order), for the other group – in the opposite sequence (reverse order). It was found that with the additional doping of nitrogen ions in doses of 1⋅10^13–5⋅10^13 cm^–2 with energy of 20 keV, an increasing of gate dielectric charge to breakdown for both types of annealing is observed. The maximum effect occurred for the samples at a dose of nitrogen ions of 1⋅10^13 cm^–2 with the forward heat treatment order. This is due to the interaction of nitrogen atoms with dangling bonds of the Si – SiO2 interface during annealing, as a result of which strong chemical bonds are formed that prevent charge accumulation on the surface of the Si – SiO2 interface. It is assumed that the main contribution to the gate leakage current is made by the tunneling of charge carriers through traps. | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.