Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/247044
Заглавие документа: Эффект переключения на границе раздела полупроводник-полупроводник
Авторы: Ильяшук, Ю. М.
Углянец, В. В.
Федотов, А. К.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 1994
Издатель: Минск : Университетское
Библиографическое описание источника: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 1. – С. 24-27.
Аннотация: The peculiarities of I—V characteristics measured along the plane of individual electrically— active grain boundaries of a general type in shaped Silicon are studied. Longitudinal I— V characteristics were investigated at low temperetures (4 —25 K) when grain bulk conductivity is freezed out. Such I - V are characterized by current jump, which is explained on the basis of synergetis model of the field (non-ohmic) heating of carriers in the boundary channel
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/247044
ISSN: 0321-0367
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:1994, №1 (январь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
24-27.pdf188,11 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.