Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043| Заглавие документа: | О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации |
| Авторы: | Борздов, В. М. Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1994 |
| Издатель: | Минск : Университетское |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 1. – С. 20-23. |
| Аннотация: | The effect of the principle scattering mechanisms of twodimensional electrons in n-channel of a silicon MOSFET on their mobility at helium temperatures has been studied |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1994, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.