Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-07-31T09:15:33Z | - |
| dc.date.available | 2020-07-31T09:15:33Z | - |
| dc.date.issued | 1994 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 1. – С. 20-23. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043 | - |
| dc.description.abstract | The effect of the principle scattering mechanisms of twodimensional electrons in n-channel of a silicon MOSFET on their mobility at helium temperatures has been studied | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Университетское | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1994, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.