Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043| Title: | О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации |
| Authors: | Борздов, В. М. Жевняк, О. Г. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1994 |
| Publisher: | Минск : Университетское |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 1. – С. 20-23. |
| Abstract: | The effect of the principle scattering mechanisms of twodimensional electrons in n-channel of a silicon MOSFET on their mobility at helium temperatures has been studied |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 1994, №1 (январь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.