Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043
Title: О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации
Authors: Борздов, В. М.
Жевняк, О. Г.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1994
Publisher: Минск : Университетское
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Механика. – 1994. – № 1. – С. 20-23.
Abstract: The effect of the principle scattering mechanisms of twodimensional electrons in n-channel of a silicon MOSFET on their mobility at helium temperatures has been studied
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/247043
ISSN: 0321-0367
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:1994, №1 (январь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20-23.pdf191,11 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.