Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/241609
Title: Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора
Other Titles: Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal Silicon
Authors: Вабищевич, С. А.
Бринкевич, С. Д.
Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2020
Publisher: Pleiades Publishing, Ltd.
Citation: ХИМИЯ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, 2020, том 54, № 1, с. 54–59 = High Energy Chemistry, 2020, Vol. 54, No. 1, pp. 46–50
Abstract: В работе исследовано влияние ионной имплантации на удельную энергию отслаивания пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния. Установлено, что при имплантации ионов бора и фосфора на границе раздела фоторезист–кремний происходит образование сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты, привитой к полимеру, что приводит к увеличению удельной энергии отслаивания G-пленки от подложки. Указанный эффект наблюдается далеко за пределом области пробега ионов и более выражен при внедрении ионов фосфора.
Abstract (in another language): The effect of ion implantation on the specific energy of delamination of FP9120 diazoquinone– novolac photoresist films deposited on single-crystal silicon wafers has been studied. It has been found that during the implantation of boron and phosphorus ions, ester crosslinks between hydroxyl groups on the surface of an oxide layer of the silicon wafer and the carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid grafted to the polymer are formed at the photoresist–silicon interface, thereby leading to an increase in the specific energy G of film delamination from the substrate. This effect is observed far beyond the ion range, being more pronounced in the case of implantation of phosphorus ions.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/241609
ISSN: 0018-1439
Scopus: 10.1134/S0018143920010129
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
There are no files associated with this item.


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.