Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241609| Заглавие документа: | Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора |
| Другое заглавие: | Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal Silicon |
| Авторы: | Вабищевич, С. А. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Pleiades Publishing, Ltd. |
| Библиографическое описание источника: | ХИМИЯ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ, 2020, том 54, № 1, с. 54–59 = High Energy Chemistry, 2020, Vol. 54, No. 1, pp. 46–50 |
| Аннотация: | В работе исследовано влияние ионной имплантации на удельную энергию отслаивания пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния. Установлено, что при имплантации ионов бора и фосфора на границе раздела фоторезист–кремний происходит образование сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты, привитой к полимеру, что приводит к увеличению удельной энергии отслаивания G-пленки от подложки. Указанный эффект наблюдается далеко за пределом области пробега ионов и более выражен при внедрении ионов фосфора. |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of ion implantation on the specific energy of delamination of FP9120 diazoquinone– novolac photoresist films deposited on single-crystal silicon wafers has been studied. It has been found that during the implantation of boron and phosphorus ions, ester crosslinks between hydroxyl groups on the surface of an oxide layer of the silicon wafer and the carboxyl groups of 1-H-indene-3-carboxylic acid grafted to the polymer are formed at the photoresist–silicon interface, thereby leading to an increase in the specific energy G of film delamination from the substrate. This effect is observed far beyond the ion range, being more pronounced in the case of implantation of phosphorus ions. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241609 |
| ISSN: | 0018-1439 |
| DOI документа: | 10.1134/S0018143920010129 |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| S0018143920010129.pdf | 396,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.