Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/241584
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПокотило, Ю. М.-
dc.contributor.authorПетух, А. Н.-
dc.contributor.authorСвито, И. А.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorГиро, А. В.-
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.-
dc.date.accessioned2020-04-01T11:54:52Z-
dc.date.available2020-04-01T11:54:52Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 166—168.ru
dc.identifier.issn2663-9939-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/241584-
dc.description.abstractИсследовалась радиационная стойкость кремниевых детекторов ионизирующего и оптического излучений при воздействии электронов с энергией 6 МэВ и гамма-квантами 60 Со. Определены константы радиационного повреждения времени жизни и коэффициент радиационного повреждения обратного тока. Показано, что токовая чувствительность фотодиодов описывается линейной функцией в широком диапазоне потоков облучения. Однако ее величина экспоненциально уменьшается с ростом потока облучения. Температура измерения не влияет на линейность люкс-амперной характеристики.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРадиационная стойкость кремниевых детекторов излученияru
dc.title.alternativeRadiation Resistance of Silicon Radiation Detectorsru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeThe radiation resistance of silicon detectors of ionizing and optical radiation at exposure to electrons with energy of 6 MeV and 60 Co gamma rays. The constants of radiation damage to life Ке = 1.8·10^-8 cm^2·s^-1 and Кг = 8.8·10^-12cm^2·s^-1 , the coefficient of radiation damage to reverse current К = 2·10^-25 A·cm^-2 are determined. It is shown that the current sensitivity of photodiodes is described by a linear function in a wide range of radiation fluxes. However, its value decreases exponentially with increasing flux of radiation S= A0·exp(-Ф/Ф1 ), А = 0.43, Ф1 = 4.3·10^15 cm^-2 . Temperature measurement does not affect the linearity of lux-ampere characteristic.ru
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Radiation Resistance of Silicon Radiation Detectors.pdf408,68 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.