Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241584Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
| dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Свито, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Гиро, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-04-01T11:54:52Z | - |
| dc.date.available | 2020-04-01T11:54:52Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 166—168. | ru |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241584 | - |
| dc.description.abstract | Исследовалась радиационная стойкость кремниевых детекторов ионизирующего и оптического излучений при воздействии электронов с энергией 6 МэВ и гамма-квантами 60 Со. Определены константы радиационного повреждения времени жизни и коэффициент радиационного повреждения обратного тока. Показано, что токовая чувствительность фотодиодов описывается линейной функцией в широком диапазоне потоков облучения. Однако ее величина экспоненциально уменьшается с ростом потока облучения. Температура измерения не влияет на линейность люкс-амперной характеристики. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Радиационная стойкость кремниевых детекторов излучения | ru |
| dc.title.alternative | Radiation Resistance of Silicon Radiation Detectors | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | The radiation resistance of silicon detectors of ionizing and optical radiation at exposure to electrons with energy of 6 MeV and 60 Co gamma rays. The constants of radiation damage to life Ке = 1.8·10^-8 cm^2·s^-1 and Кг = 8.8·10^-12cm^2·s^-1 , the coefficient of radiation damage to reverse current К = 2·10^-25 A·cm^-2 are determined. It is shown that the current sensitivity of photodiodes is described by a linear function in a wide range of radiation fluxes. However, its value decreases exponentially with increasing flux of radiation S= A0·exp(-Ф/Ф1 ), А = 0.43, Ф1 = 4.3·10^15 cm^-2 . Temperature measurement does not affect the linearity of lux-ampere characteristic. | ru |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Radiation Resistance of Silicon Radiation Detectors.pdf | 408,68 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.