Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236932
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Poklonski, N. A. | - |
dc.contributor.author | Vyrko, S. A. | - |
dc.contributor.author | Dzeraviaha, A. N. | - |
dc.date.accessioned | 2019-12-27T18:43:07Z | - |
dc.date.available | 2019-12-27T18:43:07Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Semiconductors. – 2018. – Vol. 52, № 6. – P. 692–701 = Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, № 6. – С. 544–553 | ru |
dc.identifier.issn | 1063-7826 (Print) | - |
dc.identifier.issn | 1090-6479 (Online) | - |
dc.identifier.issn | 0015-3222 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236932 | - |
dc.description.abstract | Germanium, silicon, gallium arsenide, and indium antimonide n-type crystals on the metal side of the insulator–metal transition (Mott transition) are considered. In the quasi-classical approximation, the static (direct current) electrical conductivity and the drift mobility of electrons of the c band, and electrostatic fluctuations of their potential energy and the mobility edge are calculated. It is considered that a single event of the elastic Coulomb scattering of a mobile electron occurs only in a spherical region of the crystal matrix with an impurity ion at the center. The results of calculations using the proposed formulas without using fitting parameters are numerically consistent with experimental data in a wide range of concentrations of hydrogenlike donors at their weak and moderate compensation by acceptors. | ru |
dc.description.sponsorship | This study was supported by the Belarusian National Research Program “Mattekh”. | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Pleiades Publishing | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Quasi-classical model of the static electrical conductivity of heavily doped degenerate semiconductors at low temperatures | ru |
dc.title.alternative | Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Н. Деревяго | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.1134/S1063782618060192 | - |
dc.identifier.DOI | 10.21883/FTP.2018.06.45913.8651 | - |
dc.description.alternative | Рассматриваются кристаллы германия, кремния, арсенида галлия и антимонида индия n-типа на металлической стороне перехода изолятор–металл (перехода Мотта). В квазиклассическом приближении рассчитываются статическая (на постоянном токе) электрическая проводимость и дрейфовая подвижность электронов c-зоны, а также электростатические флуктуации их потенциальной энергии и порог подвижности. Считается, что единичный акт упругого кулоновского рассеяния подвижного электрона происходит только в сферической области кристаллической матрицы, в центре которой расположен ион примеси. Результаты расчетов по предложенным формулам без использования подгоночных параметров численно согласуются с экспериментальными данными в широком диапазоне концентраций водородоподобных доноров при слабой и умеренной их компенсации акцепторами. | ru |
dc.identifier.scopus | 85047209157 | - |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
SemiconductorsP692-701.pdf | 307,82 kB | Adobe PDF | Открыть | |
FTPs544-553.pdf | 220,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.