Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/236731
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorBrinkevich, D. I.-
dc.contributor.authorKharchenko, A. A.-
dc.contributor.authorBrinkevich, S. D.-
dc.contributor.authorLukashevich, M. G.-
dc.contributor.authorOdzhaev, V. B.-
dc.contributor.authorValeev, V. F.-
dc.contributor.authorNuzhdin, V. I.-
dc.contributor.authorKhaibullin, R. I.-
dc.date.accessioned2019-12-24T12:38:11Z-
dc.date.available2019-12-24T12:38:11Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationJournal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques.— 2017.— V. 11, № 4.— P. 801—806.ru
dc.identifier.issn1027-4510 (Print)-
dc.identifier.issn1819-7094 (Online)-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/236731-
dc.description.abstractModification of the surface layers of polyimide films under γ-radiation and implantation with 30–100 keV Ni, Mn, Ag, Co, Fe and B ions in the dose range of 10¹⁵–1.5 × 10¹⁷ cm^–2 are investigated by reflection spectra measurements. Ion implantation is shown to lead to the modification of reflection from the rear (unimplanted) polymer side. Depending on the kind of ion and implantation mode a strong increase in the integrated reflection coefficient in the polymer opacity range is observed, as well as growth of the reflection intensity of optical bands λ1 = 254 and λ2 = 311 nm and their shifts to the short-wavelength region. The change in the reflection coefficient far beyond the implanted region is caused by the radiation-induced transformation of the polymer supermolecular structure near the surface and the relaxation of mechanical stress formed during film production.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherPleiades Publishing, Ltd.ru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleRadiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide filmsru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.DOI10.1134/S1027451017040188-
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.