Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223779| Заглавие документа: | Моделирование влияния процессов рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов |
| Авторы: | Борздов, В. М. Врубель, М. М. Мулярчик, С. Г. Хомич, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1997 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 3. – С. 28-30. |
| Аннотация: | The possibility to use Monte-Carlo method for simulation of electron scattering processes in the quantum well of double barrier resonant tunneling diode is discussed. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223779 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 1997, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.