Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223779| Title: | Моделирование влияния процессов рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансных туннельных диодов |
| Authors: | Борздов, В. М. Врубель, М. М. Мулярчик, С. Г. Хомич, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1997 |
| Publisher: | Минск : Універсітэцкае |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1997. – № 3. – С. 28-30. |
| Abstract: | The possibility to use Monte-Carlo method for simulation of electron scattering processes in the quantum well of double barrier resonant tunneling diode is discussed. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223779 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 1997, №3 (сентябрь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.